شمش سیلیکون تک کریستال

شمش سیلیکون تک کریستال ، رشد کرده با استفاده از فن آوری دقیق دوپینگ و کشش Czochralski (CZ) و روش شناور FZone Fone ، و فرایندهای متعدد بازپخت ، گرد و تمیز کردن پس از آن ، با ساختار تک بلوری و شبکه کریستالی مداوم برای کل جامد ، بدون تراشه های شکسته در لبه و بدون هر مرز دانه. برداشت محصول برای از بین بردن قسمت های بالا و دم نه تنها برای اطمینان از کمترین ناخالصی ها ، بلکه یک محدوده مقاومت سفارشی را نیز فعال می کند

شمش سیلیکون تک کریستالی ، وقتی کاملاً رشد کرد ، به قطر مشخص خرد شده و به بعضی از بلوک های دارای طول مشخص برش داده می شود ، جهت مسطح یا یک بریدگی به بخشی از محیط اضافه می شود تا جهت بلوری را نشان دهد. در مرحله تولید ویفر ، می توان بلوک را با تیغه داخلی یا اره سیم دار یا الماس چرخان به ویفرها برش داد. طیف گسترده ای از تنها کریستال سیلیکون شمش گزینه های اندازه N-Type یا P-2 2 ″ 3 ″ 4 ″ 5 ″ 6 ″ 8 ″ & 9.5 are و قطرها و طول های سفارشی در صورت درخواست موجود است.