گالیوم با خلوص بالا

شرح

گالیوم با خلوص بالا، 99.999٪، 99.9999٪ و 99.99999٪ 5N 6N 7N، فلز نرم، سفید نقره ای در حالت مایع و سفید مایل به آبی در حالت جامد، فرسایش آن تقریباً تحت تأثیر اکسیژن و آب در دمای اتاق قرار نمی گیرد، فقط در دمای بالا اکسید می شود و واکنش نشان می دهد. به آرامی با اسید رقیقگالیم فلزی به 99.999٪، 99.9999٪ و 99.99999٪ 5N 6N 7N با فرآیند خالص سازی روش تبلور جهت دار خالص می شود.گالیوم با خلوص بالا در شرکت وسترن مین متالز (SC) با خلوص 99.999%، 99.9999% و 99.99999% 5N 6N 7N را می توان به شکل ظرف 100 گرمی، 500 گرمی یا 1000 گرمی تحویل داد که با وزن خشک و مناسب حمل و نقل می شود. حفاظت از یخ، یا به عنوان مشخصات سفارشی برای رسیدن به راه حل عالی.

برنامه های کاربردی

گالیم با خلوص بالا عمدتاً در ساخت نیمه هادی های مرکب III-V مانند GaAs آرسنید گالیم، گالیم فسفید گالیم، گالیم آنتیمونید GaSb، گالیوم نیترید آبی آبی، مدار مایکروویو، آلیاژهای با خلوص بالا، تراشه های اکسیدی نیمه هادی و LED استفاده می شود. حامل در راکتور اتمی و به عنوان ماده منبع اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) و به عنوان ناخالص کننده رشد تک بلور ژرمانیوم و سیلیکون و غیره.

اکنون پرس و جو

جزئیات

برچسب ها

مشخصات فنی

Ga

شماره اتمی	31
وزن اتمی	67.2
تراکم	5.91 گرم بر سانتی متر مکعب
نقطه ذوب	29.78 درجه سانتی گراد
نقطه جوش	2403 درجه سانتی گراد
شماره CAS	7440-55-3
کد HS	8112.9290.99

کالا	مشخصات استاندارد
	خلوص		ناخالصی (گزارش آزمایش ICP-MS یا GDMS، حداکثر PPM هر کدام)
خلوص بالا گالیوم	5N	99.999٪	Zn/Ca/Al/Ni/In 0.5، Mg/Mn 0.6، Si/Hg 1.0، Sn/Fe 0.8، Cu 1.5، Pb 1.8	مجموع ≤10
	6N	99.9999%	Zn/Mg/Pb/Sn/Fe 0.1، Si 0.2، Cu/Al/Ni/Mn/Cr 0.05	مجموع ≤1.0
	7N	99.99999%	Zn/Al/Ni/در 0.001، منگنز 0.003، Cu/Ca/Mg/Pb/Sn 0.005، Si 0.05	مجموع ≤0.1
	اندازه		به شکل ظرف، 100 گرم / 500 گرم / 1000 گرم در هر بطری
	بسته بندی		در بطری پلاستیکی یا کیسه کامپوزیت با یخ آبی، جعبه کارتن یا طبل های آهنی بیرون.

گالیوم با خلوص بالا5N 6N 7N در شرکت وسترن مین متالز (SC) با خلوص 99.999%، 99.9999% و 99.99999% را می توان به شکل ظرفی با وزن 100 گرم، 500 گرم یا 1000 گرم تحویل داد که برای ایمنی و حمل و نقل مناسب خشک بسته بندی شده است. یا به عنوان مشخصات سفارشی برای رسیدن به راه حل عالی.

گالیوم با خلوص بالا99.999٪، 99.9999٪ و 99.99999٪ عمدتاً در ساخت نیمه هادی های مرکب III-V مانند GaAs آرسنید گالیم، GaP فسفید گالیم، GaSb گالیم آنتیموناید، مدار نیترید گالیوم آبی، GaN با اکسیداسیون بالا، میکروووا، استفاده می شود. و تراشه LED، حامل حرارتی در راکتور اتمی و به عنوان ماده منبع اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) و به عنوان ماده ناخالص رشد تک کریستال ژرمانیوم و تک کریستال سیلیکون و غیره.