ویفر سیلیکونی CZ

شرح

ویفر سیلیکونی تک کریستال CZ از شمش سیلیکون تک کریستالی که با روش رشد Czochralski CZ کشیده شده است، تکه تکه شده است، که بیشترین استفاده را برای رشد کریستال سیلیکونی شمش های استوانه ای بزرگ مورد استفاده در صنعت الکترونیک برای ساخت دستگاه های نیمه هادی دارد.در این فرآیند، یک دانه باریک از سیلیکون کریستال با تلورانس های جهت گیری دقیق وارد حمام مذاب سیلیکون می شود که دمای آن دقیقاً کنترل می شود.کریستال بذر به آرامی با سرعت بسیار کنترل شده ای از مذاب به سمت بالا کشیده می شود، انجماد کریستالی اتم ها از یک فاز مایع در یک فصل مشترک اتفاق می افتد، کریستال دانه و بوته در طی این فرآیند خروج در جهت مخالف چرخانده می شوند و یک تک بزرگ ایجاد می کنند. سیلیکون کریستالی با ساختار کریستالی کامل دانه.

به لطف میدان مغناطیسی اعمال شده برای کشیدن شمش استاندارد CZ، سیلیکون تک کریستالی Czochralski MCZ ناشی از میدان مغناطیسی دارای غلظت نسبتاً ناخالصی کمتر، سطح اکسیژن و نابجایی کمتر، و تغییر مقاومت یکنواخت است که در قطعات و دستگاه های الکترونیکی با تکنولوژی بالا عملکرد خوبی دارد. ساخت در صنایع الکترونیک یا فتوولتائیک.

تحویل

CZ یا MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type و p-type رسانایی در شرکت Western Minmetals (SC) را می توان در اندازه های 2، 3، 4، 6، 8 و 12 اینچ قطر (50، 75، 100، 125، 150، 200 و 300 میلی‌متر)، جهت‌گیری <100>، <110>، <111> با روکش سطحی، حکاکی شده و صیقلی در بسته‌بندی جعبه فوم یا کاست با جعبه کارتن بیرونی.

اکنون پرس و جو

جزئیات

برچسب ها

مشخصات فنی

ویفر سیلیکونی CZ

ویفر سیلیکونی تک کریستال CZ ماده اولیه در تولید مدارهای مجتمع، دیودها، ترانزیستورها، قطعات گسسته است که در انواع تجهیزات الکترونیکی و دستگاه های نیمه هادی استفاده می شود، همچنین بستر در پردازش همپایی، بستر ویفر SOI یا ساخت ویفر ترکیبی نیمه عایق، به ویژه بزرگ قطر 200 میلی متر، 250 میلی متر و 300 میلی متر برای ساخت دستگاه های فوق العاده یکپارچه بهینه است.سیلیکون تک کریستالی همچنین برای سلول های خورشیدی در مقادیر زیادی توسط صنعت فتوولتائیک استفاده می شود که ساختار بلوری تقریباً عالی بالاترین راندمان تبدیل نور به الکتریسیته را به همراه دارد.

خیر	موارد	مشخصات استاندارد
1	اندازه	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	قطر میلی متر	0.3±50.8	0.3±76.2	100±0.5	0.5±150	0.5±200	0.5±300
3	رسانایی	P یا N یا دوپ نشده
4	گرایش	<100>، <110>، <111>
5	ضخامت میکرومتر	279، 381، 425، 525، 575، 625، 675، 725 یا در صورت نیاز
6	مقاومت Ω-cm	≤0.005، 0.005-1، 1-10، 10-20، 20-100، 100-300 و غیره
7	حداکثر سرعت RRV	8٪، 10٪، 12٪
8	مسطح/طول اولیه میلی متر	به عنوان استاندارد SEMI یا در صورت نیاز
9	ثانویه مسطح/طول میلی متر	به عنوان استاندارد SEMI یا در صورت نیاز
10	حداکثر TTV میکرومتر	10	10	10	10	10	10
11	حداکثر کمان و تار میکرومتر	30	30	30	30	30	30
12	پایان سطح	As-cut، L/L، P/E، P/P
13	بسته بندی	جعبه فوم یا کاست در داخل، جعبه کارتن بیرون.

نماد	Si
عدد اتمی	14
وزن اتمی	28.09
دسته بندی عناصر	متالوئید
گروه، دوره، بلوک	14، 3، ص
ساختار کریستالی	الماس
رنگ	خاکستری تیره
نقطه ذوب	1414 درجه سانتیگراد، 1687.15 K
نقطه جوش	3265 درجه سانتی گراد, 3538.15 K
چگالی در 300K	2.329 گرم در سانتی متر³
مقاومت ذاتی	3.2E5 Ω-cm
شماره CAS	7440-21-3
شماره EC	231-130-8

ویفر سیلیکونی تک کریستال CZ یا MCZرسانایی نوع n و p در شرکت وسترن مین متالز (SC) می تواند در اندازه های 2، 3، 4، 6، 8 و 12 اینچ قطر (50، 75، 100، 125، 150، 200 و 300 میلی متر) ارائه شود. جهت گیری <100>، <110>، <111> با روکش سطحی بصورت برش خورده، لپ شده، اچ شده و صیقلی در بسته بندی جعبه فوم یا کاست با جعبه کارتن بیرونی.