گالیوم آنتیموناید GaSb

شرح

گالیوم آنتیموناید GaSbنیمه هادی از ترکیبات گروه III-V با ساختار شبکه ای مخلوط روی، توسط 6N 7N گالیم و عناصر آنتیموان با خلوص بالا سنتز شده و با روش LEC از شمش پلی کریستالی منجمد جهت دار یا روش VGF با EPD<1000cm به کریستال تبدیل می شود.^-3.ویفر GaSb را می توان برش داد و سپس از شمش تک کریستالی با یکنواختی بالا از پارامترهای الکتریکی، ساختارهای شبکه ای منحصر به فرد و ثابت، و چگالی نقص کم، بالاترین ضریب شکست نسبت به سایر ترکیبات غیرفلزی ساخت.GaSb را می توان با انتخاب گسترده ای در جهت گیری دقیق یا خاموش، غلظت کم یا زیاد دوپ، سطح خوب و برای رشد اپیتاکسیال MBE یا MOCVD پردازش کرد.بستر گالیوم آنتیموناید در پیشرفته‌ترین کاربردهای نوری و نوری مانند ساخت آشکارسازهای عکس، آشکارسازهای مادون قرمز با عمر طولانی، حساسیت و قابلیت اطمینان بالا، اجزای مقاوم به نور، LED‌ها و لیزرهای مادون قرمز، ترانزیستورها، سلول‌های فتوولتائیک حرارتی مورد استفاده قرار می‌گیرد. و سیستم های ترمو فتوولتائیک

تحویل

Gallium Antimonide GaSb در شرکت Western Minmetals (SC) را می توان با رسانایی نیمه عایق نوع n، نوع p و بدون دودکش در اندازه های 2 اینچ 3 اینچ و 4 اینچ (50 میلی متر، 75 میلی متر، 100 میلی متر) قطر، جهت گیری <111> ارائه کرد. یا <100>، و با پرداخت سطح ویفر از روکش های آماده برش، اچ، صیقلی یا با کیفیت بالا آماده اپیتاکسی.همه برش ها به صورت جداگانه برای شناسایی با لیزر نوشته شده اند.در همین حال، توده GaSb آنتیمونید گالیم پلی کریستالی نیز بنا به درخواست برای راه حل عالی سفارشی می شود.

اکنون پرس و جو

جزئیات

برچسب ها

مشخصات فنی

گالیوم آنتیموناید

GaSb

گالیوم آنتیموناید GaSbزیرلایه در پیشرفته ترین کاربردهای نوری و نوری مانند ساخت آشکارسازهای عکس، آشکارسازهای مادون قرمز با عمر طولانی، حساسیت و قابلیت اطمینان بالا، اجزای مقاوم به نور، LED ها و لیزرهای مادون قرمز، ترانزیستورها، سلول های فتوولتائیک حرارتی و ترمو مورد استفاده قرار می گیرد. -سیستم های فتوولتائیک

	موارد	مشخصات استاندارد
1	اندازه	2"	3"	4"
2	قطر میلی متر	50.5±0.5	0.5±76.2	100±0.5
3	روش رشد	LEC	LEC	LEC
4	رسانایی	نوع P/Doped Zn، Un-Doped، N-type/Te-doped
5	گرایش	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	ضخامت میکرومتر	25±500	25±600	25±800
7	جهت مسطح میلی متر	2±16	1±22	1±32.5
8	شناسایی مسطح میلی متر	8±1	1±11	1±18
9	تحرک cm2/vs	200-3500 یا در صورت نیاز
10	غلظت حامل cm-3	(1-100) E17 یا در صورت نیاز
11	حداکثر TTV میکرومتر	15	15	15
12	حداکثر کمان میکرومتر	15	15	15
13	تاب میکرومتر حداکثر	20	20	20
14	تراکم دررفتگی cm-2 حداکثر	500	1000	2000
15	پایان سطح	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
16	بسته بندی	ظرف ویفر تک بسته در کیسه آلومینیومی.

فرمول خطی	GaSb
وزن مولکولی	191.48
ساختار کریستالی	مخلوط روی
ظاهر	جامد کریستالی خاکستری
نقطه ذوب	710 درجه سانتی گراد
نقطه جوش	N/A
چگالی در 300K	5.61 گرم بر سانتی متر³
شکاف انرژی	0.726 eV
مقاومت ذاتی	1E3 Ω-cm
شماره CAS	12064-03-8
شماره EC	235-058-8

گالیوم آنتیموناید GaSbدر شرکت وسترن مین متالز (SC) را می توان با رسانایی نیمه عایق نوع n، نوع p و بدون روکش در اندازه قطر 2 اینچ 3 و 4 اینچ (50 میلی متر، 75 میلی متر، 100 میلی متر)، جهت گیری <111> یا <100 ارائه کرد. >، و با پرداخت سطح ویفر از روکش های آماده برش، اچ، صیقلی یا با کیفیت بالا آماده اپیتاکسی.همه برش ها به صورت جداگانه برای شناسایی با لیزر نوشته شده اند.در همین حال، توده GaSb آنتیمونید گالیم پلی کریستالی نیز بنا به درخواست برای راه حل عالی سفارشی می شود.