wmk_product_02

گالیوم آرسنید GaAs

شرح

آرسنید گالیومGaAs هست یک نیمه هادی ترکیبی با گپ مستقیم گروه III-V که توسط حداقل 6N 7N گالیم و عنصر آرسنیک با خلوص بالا سنتز شده و کریستال رشد یافته با فرآیند VGF یا LEC از آرسنید گالیم پلی کریستالی با خلوص بالا، ظاهر رنگ خاکستری، کریستال های مکعبی با ساختار ترکیبی روی.با دوپینگ کربن، سیلیکون، تلوریم یا روی برای به دست آوردن رسانایی نوع n یا نوع p و نیمه عایق به ترتیب، یک کریستال InAs استوانه ای را می توان برش داد و به صورت خالی و ویفر به صورت برش، اچ، صیقل یا epi ساخت. -آماده برای رشد اپیتاکسیال MBE یا MOCVD.ویفر آرسنید گالیوم عمدتاً برای ساخت وسایل الکترونیکی مانند دیودهای ساطع کننده نور مادون قرمز، دیودهای لیزری، پنجره های نوری، ترانزیستورهای اثر میدان FET، آی سی های دیجیتالی خطی و سلول های خورشیدی استفاده می شود.اجزای GaAs در فرکانس های رادیویی فوق العاده بالا و کاربردهای سوئیچینگ الکترونیکی سریع، کاربردهای تقویت سیگنال ضعیف مفید هستند.علاوه بر این، بستر آرسنید گالیوم یک ماده ایده‌آل برای ساخت قطعات RF، فرکانس مایکروویو و آی‌سی‌های یکپارچه و دستگاه‌های LED در ارتباطات نوری و سیستم‌های کنترل برای تحرک سالن اشباع، پایداری قدرت و دما بالا است.

تحویل

گالیوم آرسنید GaAs در شرکت وسترن مین متالز (SC) را می توان به عنوان ویفر پلی کریستال یا تک کریستال در ویفرهای برش خورده، اچ شده، صیقلی یا آماده epi-ready در اندازه های 2" 3" 4" و 6" (50mm) عرضه کرد. قطر 75 میلی متر، 100 میلی متر، 150 میلی متر)، با رسانایی نوع p، نوع n یا نیمه عایق، و جهت گیری <111> یا <100>.مشخصات سفارشی برای راه حل عالی برای مشتریان ما در سراسر جهان است.


جزئیات

برچسب ها

مشخصات فنی

آرسنید گالیوم

GaAs

Gallium Arsenide

گالیوم آرسنید GaAsویفرها عمدتاً برای ساخت وسایل الکترونیکی مانند دیودهای ساطع کننده نور مادون قرمز، دیودهای لیزری، پنجره های نوری، ترانزیستورهای اثر میدانی FET، آی سی های دیجیتالی خطی و سلول های خورشیدی استفاده می شوند.اجزای GaAs در فرکانس های رادیویی فوق العاده بالا و کاربردهای سوئیچینگ الکترونیکی سریع، کاربردهای تقویت سیگنال ضعیف مفید هستند.علاوه بر این، بستر آرسنید گالیوم یک ماده ایده‌آل برای ساخت قطعات RF، فرکانس مایکروویو و آی‌سی‌های یکپارچه و دستگاه‌های LED در ارتباطات نوری و سیستم‌های کنترل برای تحرک سالن اشباع، پایداری قدرت و دما بالا است.

خیر موارد مشخصات استاندارد   
1 اندازه 2" 3" 4" 6"
2 قطر میلی متر 0.3±50.8 0.3±76.2 100±0.5 0.5±150
3 روش رشد VGF VGF VGF VGF
4 نوع هدایت N-Type/Si یا Te-doped، P-Type/Zn-Doped، نیمه عایق/غیر دوپ شده
5 گرایش (100)±0.5 درجه (100)±0.5 درجه (100)±0.5 درجه (100)±0.5 درجه
6 ضخامت میکرومتر 25±350 25±625 25±625 25±650
7 جهت مسطح میلی متر 1±17 1±22 1±32 شکاف
8 شناسایی مسطح میلی متر 7±1 1±12 1±18 -
9 مقاومت Ω-cm (1-9)E(-3) برای نوع p یا نوع n، (1-10)E8 برای نیمه عایق
10 تحرک cm2/vs 50-120 برای نوع p، (1-2.5)E3 برای نوع n، ≥4000 برای نیمه عایق
11 غلظت حامل cm-3 (5-50)E18 برای نوع p، (0.8-4)E18 برای نوع n
12 حداکثر TTV میکرومتر 10 10 10 10
13 حداکثر کمان میکرومتر 30 30 30 30
14 تاب میکرومتر حداکثر 30 30 30 30
15 EPD cm-2 5000 5000 5000 5000
16 پایان سطح P/E، P/P P/E، P/P P/E، P/P P/E، P/P
17 بسته بندی ظرف ویفر تک بسته در کیسه کامپوزیت آلومینیومی.
18 ملاحظات ویفر مکانیکی GaAs نیز در صورت درخواست موجود است.
فرمول خطی GaAs
وزن مولکولی 144.64
ساختار کریستالی مخلوط روی
ظاهر جامد کریستالی خاکستری
نقطه ذوب 1400 درجه سانتیگراد، 2550 درجه فارنهایت
نقطه جوش N/A
چگالی در 300K 5.32 گرم بر سانتی متر3
شکاف انرژی 1.424 eV
مقاومت ذاتی 3.3E8 Ω-cm
شماره CAS 1303-00-0
شماره EC 215-114-8

گالیوم آرسنید GaAsدر شرکت وسترن مین متالز (SC) می توان ویفرهای تک بلوری یا تک کریستالی را در ویفرهای برش خورده، اچ شده، صیقل داده شده یا epi-ready در اندازه های 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ و 6 اینچ (50 میلی متر، 75 میلی متر، 100 میلی متر) عرضه کرد. ، 150 میلی متر)، با رسانایی نوع p، نوع n یا نیمه عایق، و جهت <111> یا <100>.مشخصات سفارشی برای راه حل عالی برای مشتریان ما در سراسر جهان است.

Gallium Arsenide 8

GaAs-W2

GaAs-W

PC-20

GaAs-W4

نکات تدارکاتی

  • نمونه در صورت درخواست در دسترس است
  • تحویل ایمنی کالا از طریق پیک/هوایی/دریایی
  • مدیریت کیفیت COA/COC
  • بسته بندی ایمن و راحت
  • بسته بندی استاندارد سازمان ملل در صورت درخواست در دسترس است
  • گواهی ISO9001:2015
  • شرایط CPT/CIP/FOB/CFR توسط Incoterms 2010
  • شرایط پرداخت انعطاف پذیر T/TD/PL/C قابل قبول است
  • خدمات پس از فروش تمام ابعاد
  • بازرسی کیفیت توسط مرکز مدرن
  • تایید مقررات Rohs/REACH
  • قراردادهای غیر افشای NDA
  • سیاست معدنی بدون تعارض
  • بررسی منظم مدیریت محیطی
  • تحقق مسئولیت اجتماعی

ویفر آرسنید گالیوم


  • قبلی:
  • بعد:

  • کد QR