ایندیوم آنتیموناید InSb

شرح

Indium Antimonide InSbنیمه هادی از ترکیبات کریستالی گروه III-V با ساختار شبکه ای مخلوط روی، توسط 6N 7N با خلوص بالا ایندیم و عناصر آنتیموان سنتز شده و تک بلوری به روش VGF یا روش Czochralski LEC با محصور مایع از چند ناحیه چندبلوره تصفیه شده ساخته شده است. که می توان آن را برش داد و به صورت ویفر و سپس بلوک ساخت.InSb یک نیمه هادی انتقال مستقیم با شکاف باند باریک 0.17eV در دمای اتاق، حساسیت بالا به طول موج 1-5μm و تحرک هال فوق العاده بالا است.ایندیوم آنتیموناید InSb نوع n، نوع p و رسانایی نیمه عایق در شرکت وسترن مین متالز (SC) می تواند در اندازه های 1 اینچ 2 اینچ 3 اینچ و 4 اینچ (30 میلی متر، 50 میلی متر، 75 میلی متر، 100 میلی متر) قطر، جهت گیری < ارائه شود. 111> یا <100>، و با روکش سطح ویفر به صورت برش خورده، لپ شده، اچ شده و صیقلی.هدف Indium Antimonide InSb از Dia.50-80mm با نوع n بدون دوپ نیز موجود است.در همین حال، آنتی‌مونید ایندیوم پلی کریستالی InSb (InSb چند کریستالی) با اندازه توده نامنظم، یا خالی (15-40) x (40-80) میلی‌متر، و نوار گرد D30-80 میلی‌متر نیز بنا به درخواست برای راه‌حل عالی سفارشی می‌شوند.

کاربرد

Indium Antimonide InSb یک بستر ایده‌آل برای تولید بسیاری از اجزا و دستگاه‌های پیشرفته مانند محلول تصویربرداری حرارتی پیشرفته، سیستم FLIR، عنصر سالن و عنصر اثر مقاومت مغناطیسی، سیستم هدایت موشک‌های فروسرخ، سنسور آشکارساز نوری مادون قرمز با واکنش بالا است. سنسور مقاومت مغناطیسی و چرخشی با دقت بالا، آرایه های مسطح کانونی و همچنین به عنوان منبع تابش تراهرتز و در تلسکوپ فضایی نجومی فروسرخ و غیره سازگار شده است.

اکنون پرس و جو

جزئیات

برچسب ها

مشخصات فنی

آنتیموناید ایندیوم

InSb

بستر آنتی موناید ایندیوم(زیر بستر InSb، ویفر InSb) نوع n یا نوع p در شرکت وسترن مین متالز (SC) را می توان در اندازه های 1 "2" 3" و 4" (30، 50، 75 و 100 میلی متر) قطر، جهت <111> یا <100> ارائه کرد، و با سطح ویفر از روکش های لبه دار، اچ شده و صیقلی میله تک کریستال آنتیموناید ایندیوم (نوار InSb Monocrystal) نیز در صورت درخواست قابل تهیه است.

آنتیموناید ایندیومPOlycrystalline (InSb Polycrystalline یا Multicrystal InSb) با اندازه توده نامنظم یا خالی (15-40)x (40-80)mm نیز بنا به درخواست برای راه حل عالی سفارشی می شود.

در همین حال، Indium Antimonide Target (InSb Target) Dia.50-80mm با نوع n بدون دوپ نیز موجود است.

خیر	موارد	مشخصات استاندارد
1	بستر آنتی موناید ایندیوم	2"	3"	4"
2	قطر میلی متر	50.5±0.5	0.5±76.2	100±0.5
3	روش رشد	LEC	LEC	LEC
4	رسانایی	نوع P/Zn، جنرال الکتریک دوپ شده، نوع N/Te دوپ شده، بدون دوپ
5	گرایش	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	ضخامت میکرومتر	25±500	25±600	25±800
7	جهت مسطح میلی متر	2±16	1±22	1±32.5
8	شناسایی مسطح میلی متر	1±8	1±11	1±18
9	تحرک cm2/vs	1-7E5 N/un-doped، 3E5-2E4 N/Te-doped، 8-0.6E3 یا ≤8E13 P/Ge-doped
10	غلظت حامل cm-3	6E13-3E14 N/un-doped، 3E14-2E18 N/Te-doped، 1E14-9E17 یا <1E14 P/Ge-doped
11	حداکثر TTV میکرومتر	15	15	15
12	حداکثر کمان میکرومتر	15	15	15
13	تاب میکرومتر حداکثر	20	20	20
14	تراکم دررفتگی cm-2 حداکثر	50	50	50
15	پایان سطح	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
16	بسته بندی	ظرف ویفر تک بسته در کیسه آلومینیومی.

خیر	موارد	مشخصات استاندارد
خیر	موارد	Iندیم آنتیموناید پلی کریستالی	هدف آنتی موناید ایندیوم
1	رسانایی	دوپ نشده	دوپ نشده
2	غلظت حامل سانتی متر^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	تحرک سانتی متر²/در مقابل	5-7E5	6.9-7.9E4
4	اندازه	15-40x40-80 میلی متر	D (50-80) میلی متر
5	بسته بندی	در کیسه آلومینیومی کامپوزیت، جعبه کارتن بیرون

فرمول خطی	InSb
وزن مولکولی	236.58
ساختار کریستالی	مخلوط روی
ظاهر	کریستال های فلزی خاکستری تیره
نقطه ذوب	527 درجه سانتی گراد
نقطه جوش	N/A
چگالی در 300K	5.78 گرم بر سانتی متر³
شکاف انرژی	0.17 eV
مقاومت ذاتی	4E(-3) Ω-cm
شماره CAS	1312-41-0
شماره EC	215-192-3

ایندیوم آنتیموناید InSbویفر یک بستر ایده‌آل برای تولید بسیاری از قطعات و دستگاه‌های پیشرفته است، مانند محلول تصویربرداری حرارتی پیشرفته، سیستم FLIR، عنصر سالن و عنصر اثر مقاومت مغناطیسی، سیستم هدایت موشک‌های خانگی فروسرخ، سنسور آشکارساز نوری مادون قرمز با واکنش بالا، بالا - سنسور مقاومت مغناطیسی و چرخشی دقیق، آرایه های مسطح کانونی، و همچنین به عنوان منبع تابش تراهرتز و در تلسکوپ فضایی نجومی فروسرخ و غیره سازگار شده است.